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新闻中心英飞凌举办碳化硅媒体发布会,助力行业绿色可持续发展

英飞凌举办碳化硅媒体发布会,助力行业绿色可持续发展

来源:电路 发布时间:2024-12-26 12:45:21

近(jìn)日(rì),德(dé)国(guó)芯(xīn)片(piàn)大(dà)厂(chǎng)英(yīng)飞(fēi)凌(líng)举(jǔ)办(bàn)了(le)年(nián)度(dù)碳(tàn)化(huà)硅(guī)媒(méi)体(tǐ)发(fā)布(bù)会(huì)。会(huì)上(shàng)英(yīng)飞(fēi)凌(líng)科(kē)技(jì)高(gāo)级(jí)副(fù)总(zǒng)裁(cái)、工(gōng)业(yè)与(yǔ)基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)业(yè)务(wu)大(dà)中(zhōng)华(huá)区(qū)负责人于代辉表示:“据Yole Intelligence调查报告显示,碳化硅市场预计将从2024年的31亿欧元增长至2029年的90亿欧元,年复合增长率超24%。同时,碳化硅是实现可持续性能源生产和消费的核心技术,英飞凌会持续聚焦碳化硅技术在绿色能源领域的应用,加强研发和创新,推动能源领域的绿色化转型。”

媒体会上,英飞凌还重点介绍了前段时(shí)间(jiān)发(fā)布(bù)的两款碳化硅产品——CoolSiCTMMOSFET G2以及XHPTM2 CoolSiCTMMOSFET半桥模块。据了解,英飞凌发布的CoolSiCTMMOSFET G2具备业界领先的功率密度,最高可达7毫欧,使得其在(zài)相(xiāng)同(tóng)体(tǐ)积(jī)下(xià),能(néng)够(gòu)实(shí)现(xiàn)更(gèng)高(gāo)的(de)功(gōng)率(lǜ)输(shū)出(chū),提(tí)高(gāo)能(néng)源(yuán)转(zhuǎn)换(huàn)效(xiào)率(lǜ)。英(yīng)飞(fēi)凌(líng)表(biǎo)示(shì),该(gāi)产(chǎn)品(pǐn)在(zài)硬(yìng)开(kāi)关、软(ruǎn)开(kāi)关、轻(qīng)载(zài)等(děng)工(gōng)况(kuàng)下(xià)均(jūn)表(biǎo)现(xiàn)优(yōu)异(yì),既(jì)能(néng)减(jiǎn)少(shǎo)能(néng)量(liàng)浪(làng)费(fèi),又(yòu)能(néng)提(tí)高系统整体效率。在散热性能方(fāng)面(miàn),第(dì)二(èr)代(dài)CoolSiCTMMOSFET采用(yòng)了(le)如(rú).XT互(hù)连技术和扩散焊技术等先进的封装技术,降低了热阻,热阻值从0.68K/W降低到0.5K/W,热表征值从0.28K/W降到0.18K/W,使热量能更高效地从芯片结点散出,有助于降低结点温度,还能提升器件的输出功率。即使是在恶劣的工况下,该产品仍能保证器件在高功率运行时的稳定性和可靠性,确保了系统的耐用性,降低了因过载导致的器件损坏风险。

XHPTM2 CoolSiCTMMOSFET半桥模块则是具备了高集成度与高功率处理能力,其额定电压为3.3千伏,集成了.XT技术,其高集成度的设计使得模块在处理高电压、大功率应用时,具有出色的性能表现,能够满足电力机车、工(gōng)业(yè)传(chuán)动(dòng)等(děng)领域对高功率的需求。此外,借助碳化硅材料的优异特性以及先进的模块设计,实现了高效的能源转换。在欧洲电力机车的应用案例显示,该模块能够帮助实现用电量的大幅节能,每年可节省约30万度电,相当于100个欧洲家庭的年用电量,不仅显著降低了能源消耗,还大幅提高了能源利用效率,为绿色能源转型做出了实质性贡献。

英飞凌表示,这两款产品能够覆盖光伏、储能、充电桩、电力机车等车用和工业场景,而且可以根据不同场景的具体需求,发挥出更具针对性的性能特点,促进这些行业向更高效率、更可持续的方向发展。

于代辉表示:“绿色、环保、低碳已成为广泛共识,碳化硅作为实现可持续能源生产和消费的核心技术,市场潜力巨大。根据IEA报告,从发电到用电的整个能源链条,各环节市场均呈现强劲增长态势。面对这一高速增长的市场,英飞凌凭借自1992年以来在碳化硅领域的持续研发和创新,致力于解决碳化硅产品在一致性、领先性、创新性、经济性及适应性等方面的痛点,以满足客户需求。”